概要
k8凯发国际半导体SiC-MOSFET 智能功率模块，作为新一代的紧凑型1200V等级封装，集成了优化的SOI工艺6通道栅极驱动芯片与1200V 80mohm的N沟道增强型SiC-MOSFET芯片。为了方便客户更好的测试SiC-MOS的IPM的性能，k8凯发国际联合k8凯发国际的IDH联合推出基于这颗IPM的汽车空调的参考应用方案。
XNC20S12FT汽车空调应用方案
-方案 PCB 图-
-方案框图-
方案特点
1、优秀的启动性能；正弦波启动，在一个电周期内识别转子的位置，并切人转速闭环。能在最大启动压差大于等于18bar启动，带载启动能力强；
2、快速启动和响应，最大加速度3000RPM/s；
3、低噪声高效率：正弦FOC控制，波形平缓，噪音小，运行平稳; 电机最大效率93%。
※产品具体信息可向我司销售人员咨询或索取产品规格书(service@cits618.com)。
